[发明专利]高密度电阻性随机存取存储器（RRAM）在审
| 申请号： | 201910990201.3 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110600499A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 柳青;J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电阻性随机存取存储器(RRAM)结构形成于支撑衬底上并且包括第一电极和第二电极。该第一电极是由在该支撑衬底上的硅化物化的鳍以及覆盖该硅化物化的鳍的第一金属内衬层制成的。具有可配置的电阻性质的电介质材料层覆盖该第一金属内衬层的至少一部分。该第二电极是由覆盖该电介质材料层的第二金属内衬层以及与该第二金属内衬层相接触的金属填充物制成的。非易失性存储器单元包括电连接于存取晶体管与位线之间的RRAM结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属内衬层 电介质材料层 第二电极 第一电极 衬底 硅化 覆盖 非易失性存储器单元 随机存取存储器 存取晶体管 金属填充物 电阻性质 结构形成 可配置的 电连接 电阻性 位线 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，包括：/n衬底层；/n多个半导体鳍，在所述衬底层上，并且被定位为彼此间隔开；/n第一金属内衬层，在所述多个半导体鳍上并且在所述衬底层上；/n多个第一接触柱，每个第一接触柱在所述第一金属内衬层上并且位于多个半导体鳍中的不同的相应半导体鳍附近；/n可配置电阻结构，具有可配置电阻并且覆盖所述第一金属内衬层的、在所述多个半导体鳍中的每个半导体鳍上的部分；/n金属层，与所述可配置电阻结构接触；以及/n多个第二接触柱，每个第二接触柱在所述半导体鳍中的相邻半导体鳍之间的空间附近的所述金属层上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司，未经意法半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910990201.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
