[发明专利]存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法

摘要

本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。所述第二沟槽水平地沿着所述变窄的第一沟槽、横向介于所述第二绝缘体材料之间且位于所述第二绝缘体材料下方。在所述堆叠中形成竖向延伸的存储器单元串。本发明揭示独立于方法的结构。