[发明专利]存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法

说明书

本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。所述第二沟槽水平地沿着所述变窄的第一沟槽、横向介于所述第二绝缘体材料之间且位于所述第二绝缘体材料下方。在所述堆叠中形成竖向延伸的存储器单元串。本发明揭示独立于方法的结构。

技术领域

本文中所揭示的实施例涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制作于个别存储器单元的一或多个阵列中。存储器单元可使用数字线(其还可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其还可称为字线)而被写入或读取。感测线可沿着阵列的多列与存储器单元导电地互连，且存取线可沿着阵列的多行与存储器单元导电地互连。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合而唯一地寻址。

存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下存储数据达延长的时间周期。非易失性存储器常规地指定为具有至少大约10年的保持时间的存储器。易失性存储器会耗尽且因此被刷新/重新写入以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元经配置而以至少两种不同可选择状态存留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两种以上电平或状态的信息。

场效应晶体管是可在存储器单元中使用的一种类型的电子组件。这些晶体管包括其间具有半导电沟道区域的一对导电源极/漏极区域。导电栅极邻近沟道区域，且通过薄栅极绝缘体与所述沟道区域分开。将适合电压施加到栅极允许电流从源极/漏极区域中的一者穿过沟道区域流动到另一者。当从栅极移除电压时，在很大程度上阻止了电流流过沟道区域。场效应晶体管还可包含额外结构，举例来说，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的一部分的可逆向编程的电荷存储区域。

快闪存储器是一种类型的存储器，且在现代计算机及装置中具有许多用途。举例来说，现代个人计算机可具有存储于快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，计算机及其它装置越来越普遍在固态驱动器中利用快闪存储器来替换常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中较流行，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新通信协议成为标准化时支持所述新通信协议，且能够提供使装置远程升级以增强特征的能力。

NAND可为集成式快闪存储器的基本架构。NAND单元单位包括串联耦合到存储器单元的串联组合(其中串联组合通常称为NAND串)的至少一个选择装置。NAND架构可配置成包括垂直堆叠的存储器单元的三维布置，所述垂直堆叠的存储器单元个别地包括可逆向编程的垂直晶体管。控制电路或其它电路可形成于垂直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构还可包括个别地包括晶体管的垂直堆叠的存储器单元。

发明内容