[发明专利]存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法

权利要求书

1.一种在形成存储器阵列时所使用的方法，其包括：

形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠，所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层；所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者；

对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽；

在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料，所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄；

在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽，所述第二沟槽水平地沿着所述变窄的第一沟槽、横向介于所述第二绝缘体材料之间且位于所述第二绝缘体材料下方；及

在所述堆叠中形成竖向延伸的存储器单元串。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘体材料中的碳、氧、硼及磷中的所述一或多者具有至少约2原子百分比的总浓度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述总浓度不超过约20原子百分比。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一绝缘体材料中的碳、氧、硼及磷中的所述一或多者具有至少约4原子百分比的总浓度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述总浓度为至少约10原子百分比。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多者包括碳。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多者包括氧。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多者包括硼。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多者包括磷。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多者包括碳、氧、硼及磷中的仅一者。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多者包括碳、氧、硼及磷中的至少两者。

12.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述第一沟槽形成为延伸穿过所述第一绝缘体材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘叠层包括绝缘材料，所述第一绝缘体材料具有与所有所述绝缘叠层的所述绝缘材料的组合物不同的组合物。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成所述第二绝缘体材料包括：

在所述第一绝缘体材料顶上、沿着所述第一沟槽的所述侧壁且直接在所述第一沟槽的基底上方形成所述第二绝缘体材料；及

对所述第二绝缘体材料进行无掩模各向异性蚀刻以直接从所述第一沟槽基底上方移除所述第二绝缘体材料，紧邻所述第一沟槽侧壁处除外，且从所述第一绝缘体材料顶上移除所述第二绝缘体材料。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述图案化包括：在所述堆叠顶上形成经图案化掩蔽层，且在蚀刻所述第一绝缘体材料以在所述绝缘体叠层中形成所述第一水平伸长的沟槽时，使用所述经图案化掩蔽层作为掩模；且

跨越邻近所述存储器阵列且在其处与所述字线叠层电接触的阶梯状区域而形成所述绝缘体叠层，在所述阶梯状区域中的所述绝缘体叠层顶上形成所述经图案化掩蔽层，且所述方法进一步包括：在所述蚀刻所述第一绝缘体材料以在所述存储器阵列中的所述绝缘体叠层中形成所述第一水平伸长的沟槽期间，使用所述阶梯状区域中的所述经图案化掩蔽层作为掩模来蚀刻所述阶梯状区域中的所述第一绝缘体叠层。