[发明专利]提升AlGaN/AlN多量子阱界面质量的生长方法有效
| 申请号： | 201910982145.9 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111192942B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 罗伟科;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 严海晨 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升AlGaN/AlN多量子阱界面质量的生长方法，本发明是在MOCVD设备中进行的，在AlGaN量子阱和AlN量子垒周期性切换时中断生长，抑制界面组分渐变层的形成；同时在AlN生长过程中周期性的交替提供Ⅲ、Ⅴ族源，减少反应源之间的预反应，增加金属原子的横向迁移能力，改善AlN表面形貌，增强界面陡峭度，提升AlGaN与AlN间的界面质量。本发明的优点：本发明可以降低AlN生长温度，并且保证AlN的表面平整性，实现AlGaN和AlN的同温度生长，同时能抑制界面组分渐变层的形成，增强界面陡峭度，提升界面质量，方法经济节约，简单易行，外延材料性能好，是实现AlGaN/AlN多量子阱结构高质量、低成本生长的有效解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 algan aln 多量 界面 质量 生长 方法 | ||
【主权项】：
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