[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管在审
| 申请号： | 201910977751.1 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112670168A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王士京;何其暘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底；在基底上形成有机层，有机层中具有露出基底的开口；进行多次阻断图形化处理，在开口露出的基底上形成阻断结构，阻断图形化处理的步骤包括：在有机层的表面以及基底上保形覆盖阻断材料层；去除高于有机层的顶面的阻断材料层；去除部分厚度的有机层；去除剩余的有机层露出的阻断材料层；去除剩余的有机层。本发明实施例中，阻断图形化处理的过程中，阻断材料层中的中间区域和边缘区域的被刻蚀速率差异降低，有利于提高形成的阻断结构的顶面的平坦度，使得阻断结构在后续过程中能起到更好的掩膜作用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
