[发明专利]改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法及封装结构在审

专利信息
申请号: 201910925261.7 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110649054A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 马书英;陈庆;李丰;郑凤霞;刘轶 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 32293 苏州国诚专利代理有限公司 代理人: 陈松
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法及封装结构,能够有效的降低芯片使用过程中的失效风险,封装方法包括以下步骤:提供玻璃载板和CIS晶圆,将CIS晶圆与玻璃载板键合在一起;对CIS晶圆进行刻蚀形成槽孔,使得CIS晶圆上的焊盘露出;在CIS晶圆上形成钝化层,然后在钝化层上开窗将CIS晶圆上的焊盘露出;在钝化层上制作重布线层,通过重布线层连接CIS晶圆上的焊盘;在重布线层上通过丝网印胶的方式涂布阻焊层,且在通向CIS晶圆上焊盘的槽孔中形成气泡,然后在阻焊层上开窗;在阻焊层上开窗处制作焊球,焊球与重布线层连接。
搜索关键词: 晶圆 重布线层 阻焊层 钝化层 焊盘 玻璃载板 槽孔 焊球 开窗 晶圆级封装 方式涂布 封装结构 芯片使用 开窗处 上焊盘 丝网印 键合 刻蚀 制作 封装
【主权项】:
1.一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法,其特征在于,所述封装方法包括以下步骤:/n步骤1:提供玻璃载板和CIS晶圆,将CIS晶圆与玻璃载板键合在一起;/n步骤2:对CIS晶圆进行刻蚀形成槽孔,使得CIS晶圆上的焊盘露出;/n步骤3:在CIS晶圆上形成钝化层,然后在钝化层上开窗将CIS晶圆上的焊盘露出;/n步骤4:在钝化层上制作重布线层,通过重布线层连接CIS晶圆上的焊盘;/n步骤5:在重布线层上通过丝网印胶的方式涂布阻焊层,且在通向CIS晶圆上焊盘的槽孔中形成气泡,然后在所述阻焊层上开窗;/n步骤6:在所述阻焊层上开窗处制作焊球,所述焊球与所述重布线层连接。/n
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