[发明专利]改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：

步骤1：提供玻璃载板和CIS晶圆，将CIS晶圆与玻璃载板键合在一起；

步骤2：对CIS晶圆进行刻蚀形成槽孔，使得CIS晶圆上的焊盘露出；

步骤3：在CIS晶圆上形成钝化层，然后在钝化层上开窗将CIS晶圆上的焊盘露出；

步骤4：在钝化层上制作重布线层，通过重布线层连接CIS晶圆上的焊盘；

步骤5：在重布线层上通过丝网印胶的方式涂布阻焊层，且在通向CIS晶圆上焊盘的槽孔中形成气泡，然后在所述阻焊层上开窗；

步骤6：在所述阻焊层上开窗处制作焊球，所述焊球与所述重布线层连接。

2.根据权利要求1所述的一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法，其特征在于：在步骤1中，还包括：将CIS晶圆减薄至目标厚度。

3.根据权利要求1所述的一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法，其特征在于：在步骤2中，通过黄光工艺光刻做出槽的图形，再通过刻蚀工艺在CIS晶圆上刻蚀出斜槽，再通过黄光工艺光刻做出孔的图形，再通过刻蚀工艺在CIS晶圆上刻蚀出斜孔，使CIS晶圆上的焊盘暴露出来。

4.根据权利要求1所述的一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法，其特征在于：在步骤3中，钝化层通过喷射绝缘胶的方式形成，然后通过曝光、显影的方式将CIS晶圆上的焊盘露出。

5.根据权利要求1所述的一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法，其特征在于：在步骤3中，在制作钝化层前，通过PECVD工艺在CIS晶圆上沉积一层致密绝缘层，所述致密绝缘层由SiO₂或Si₃N₄形成。

6.根据权利要求1所述的一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法，其特征在于：在步骤4中，在制作重布线层时，先沉积一层种子层，种子层采用Ti/Cu复合材料或者铝，再沉积铜或铝至目标厚度，然后光刻出线路并进行刻蚀、去胶，再采用化学镀Ni/Au的方式在重布线层上形成保护层，槽孔内沉积的金属厚度与CIS晶圆表面厚度相同，使得所述槽孔中留有孔洞，避免完全填充形成导电柱。

7.根据权利要求1所述的一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法，其特征在于：在步骤5中形成的气泡的大小、胶厚通过丝网印胶工艺制程中刮刀速度、刮刀压力、晶圆与丝网间Gap参数进行调节；在步骤5中形成的气泡的比率通过丝网印胶工艺制程中的丝网目数、胶粘度进行调节。

8.根据权利要求1所述的一种改善CIS芯片阻焊层应力的晶圆级封装方法，其特征在于：在步骤6之后，还包括以下步骤：通过晶圆切割，形成单颗的CIS芯片的封装结构。

9.一种CIS芯片的封装结构，其特征在于，包括：

玻璃载板；

CIS晶圆，其焊盘和感光区设置于所述CIS晶圆的第一表面，CIS晶圆的第二表面上设置有槽孔使得焊盘露出；

围堰，设置于所述CIS晶圆的第一表面和所述玻璃载板的第一表面之间，与所述CIS晶圆的第一表面、所述玻璃载板的第一表面形成封闭空腔；

钝化层，设置于所述CIS晶圆的第二表面，对应在CIS晶圆的焊盘位置处设置有开窗区；

重布线层，设置于所述钝化层上，所述重布线层与所述CIS晶圆的焊盘连接；

阻焊层，设置于所述重布线层上，所述阻焊层在通向CIS晶圆上焊盘的槽孔中形成有气泡；

焊球，连接所述重布线层。

10.根据权利要求9所述的一种CIS芯片的封装结构，其特征在于：还包括致密绝缘层，所述致密绝缘层位于所述CIS晶圆与所述钝化层之间。