[发明专利]一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法

摘要

本发明涉及一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法，包括以下过程：（1）清洗半导体作为衬底；（2）取金属氧化物粉末和硫粉末；（3）将半导体衬底放在装有金属氧化物的陶瓷舟上，并将陶瓷舟置于真空管式炉中间，随后将装有硫粉的陶瓷舟放置在距离真空管式炉中间上游的15cm处。（4）用真空泵将真空管式炉的石英管内的压强抽至7.5×10

主权项

1.一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法，其特征在于，包括以下过程：/n（1）半导体衬底的清洗，用丙酮、乙醇、去离子水分别清洗20min，彻底清除表面的有机残留物和杂质，用氮气吹干备用；/n（2）按金属元素和硫元素的摩尔比1：200称取金属氧化物粉末和硫粉末，分别置于两个陶瓷舟中；/n（3）将清洗过的半导体衬底放在步骤（2）中装有金属氧化物粉末的陶瓷舟上，并将装有金属氧化物粉末的陶瓷舟置于真空管式炉中间，随后将步骤（2）中装有硫粉末的陶瓷舟放置在距离真空管式炉中间上游的15cm处；/n（4）用真空泵将真空管式炉的石英管内的压强抽至7.5×10-2Torr，并用高纯氮气以200sccm的流量重新填充到常压状态，调节高纯氮气的流量至50sccm并保持；/n（5）编辑真空管式炉的温度控制程序:升温速度10℃/min，温度升至750-850℃，保持15min；/n（6）在真空管式炉中，金属氧化物粉末热解蒸发的金属原子与硫粉末热蒸发的硫原子蒸汽在半导体衬底上结晶，气相沉积过程结束后，待真空管式炉自然冷却到室温后，即可获得半导体衬底支撑金属硫化纳米片阵列的异质复合样品，即获得半导体与金属硫化物异质电极，可以直接用作光电化学分解水电极。/n