[发明专利]一种半导体激光器及其载流子注入方法在审
| 申请号： | 201910917248.7 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110739605A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王俊;赵智德;谭少阳;程洋 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司;苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/22 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张琳琳 |
| 地址： | 215011 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器及其载流子注入方法，其中方法包括：在衬底上制备半导体激光器外延结构，获取外延结构晶圆片；在晶圆片上制备半导体激光器的脊形结构；在脊形结构上制备介质薄膜；将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理，形成沿纵向方向的非均匀形状分布的介质薄膜；在介质薄膜上制备电极；将晶圆片进行解理，在解理面的前后两端分别制备减反薄膜及高反薄膜；从减反薄膜腔面到高反薄膜腔面进行载流子注入。通过控制脊面上介质薄膜的形状，实现电流沿脊形纵向的非均匀注入，抵消长腔长、两端腔面反射率差异引起的载流子非均匀分布，提升半导体激光器工作状态下增益沿纵向分布的均匀性，提高半导体激光器的光输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 介质薄膜 制备 载流子 脊形结构 晶圆片 外延结构 薄膜腔 非均匀 解理 薄膜 非均匀分布 光输出功率 腔面反射率 形状分布 纵向分布 均匀性 电极 长腔 衬底 脊形 刻蚀 抵消 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器的载流子注入方法，其特征在于，包括：/n在衬底上制备半导体激光器外延结构，获取外延结构晶圆片；/n在晶圆片上制备半导体激光器的脊形结构；/n在脊形结构上制备介质薄膜；/n将位于脊形结构脊面上的介质薄膜进行刻蚀处理，形成沿纵向方向的非均匀形状分布的介质薄膜；/n在介质薄膜上制备电极；/n将晶圆片进行解理，并在解理面的前后两端分别制备减反薄膜及高反薄膜；/n从减反薄膜腔面到高反薄膜腔面进行半导体激光器的载流子注入。/n
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