[发明专利]存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910916123.2 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110767659A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 徐融;苏界;孙文斌;罗佳明;顾立勋 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构至所述衬底表面的沟道孔；在所述沟道孔内形成沟道孔结构，所述沟道孔结构包括位于所述沟道孔底部的衬底表面的外延半导体层、覆盖所述沟道孔侧壁的功能侧墙以及覆盖所述功能侧墙连接所述外延半导体层的沟道层以及填充所述沟道孔的沟道介质层；采用各向同性刻蚀工艺，回刻蚀所述沟道介质层至设定高度，暴露出部分沟道层；在回刻蚀后的沟道介质层顶部形成电接触部，所述电接触部与所述沟道层之间形成电连接。所述存储器的性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 存储器 沟道层 介质层 外延半导体层 衬底表面 电接触部 堆叠结构 回刻蚀 孔结构 侧墙 衬底 各向同性刻蚀 电连接 孔侧壁 覆盖 填充 暴露 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的形成方法，其特征在在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有堆叠结构；/n形成贯穿所述堆叠结构至所述衬底表面的沟道孔；/n在所述沟道孔内形成沟道孔结构，所述沟道孔结构包括位于所述沟道孔底部的衬底表面的外延半导体层、覆盖所述沟道孔侧壁的功能侧墙以及覆盖所述功能侧墙连接所述外延半导体层的沟道层以及填充所述沟道孔的沟道介质层；/n采用各向同性刻蚀工艺，回刻蚀所述沟道介质层至设定高度，暴露出部分沟道层；/n在回刻蚀后的沟道介质层顶部形成电接触部，所述电接触部与所述沟道层之间形成电连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
