[发明专利]嵌入式存储器有效
| 申请号： | 201910911217.0 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110690223B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 武泽翰;曹永赞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种嵌入式存储器，包括：主处理器；嵌入式闪存结构；若干第二裸闪存结构；所述嵌入式闪存结构包括控制器和若干第一裸闪存结构；若干第一裸闪存结构和第二裸闪存结构中均具有闪存阵列；控制器包括若干输入端和若干输出端，若干输出端包括若干嵌入式输出端和若干非嵌入式输出端；若干嵌入式输出端与若干第一裸闪存结构中的闪存阵列连接；主处理器与所述嵌入式闪存结构中的控制器的部分输入端连接；若干第二裸闪存结构中的闪存阵列相应的与嵌入式闪存结构中的控制器的非嵌入式输出端连接。本发明的嵌入式存储器进行扩容时能减小了主处理器的工作负担，并能减少主处理器端的信号串扰(crosstalk)，并且只需要一个控制器，节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入式 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式存储器，其特征在于，包括：/n主处理器；/n嵌入式闪存结构；/n若干第二裸闪存结构；/n其中，所述嵌入式闪存结构包括控制器和若干第一裸闪存结构；/n所述若干第一裸闪存结构和第二裸闪存结构中均具有闪存阵列；/n所述控制器包括若干输入端和若干输出端，所述若干输出端包括若干嵌入式输出端和若干非嵌入式输出端；/n所述若干嵌入式输出端与若干第一裸闪存结构中的闪存阵列连接；/n所述主处理器与所述嵌入式闪存结构中的控制器的部分输入端连接；/n所述若干第二裸闪存结构中的闪存阵列相应的与嵌入式闪存结构中的控制器的非嵌入式输出端连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910911217.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成组合件以及形成集成组合件的方法
- 下一篇：电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
