[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910894295.4 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110970302A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 林资敬;林建智;朱峯庆;舒丽丽;李启弘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法包括形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极/漏极区域于凹槽中，源极/漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及第三膜层。形成源极/漏极区域包括：在第一工艺条件下进行第一外延工艺以在凹槽中形成第一膜层，第一膜层沿着凹槽所露出的鳍片的表面延伸，在第二工艺条件下进行第二外延工艺以在第一膜层上形成第二膜层；以及在第三工艺条件下进行第三外延工艺以在第二膜层上形成第三膜层，第三膜层填充凹槽。第一工艺条件、第二工艺条件、及第三工艺条件不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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