[发明专利]一种自带电流传感功能的FRD芯片有效
| 申请号： | 201910881792.0 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110648996B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/49;H01L29/861 |
| 代理公司： | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人： | 温明霞 |
| 地址： | 201100 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自带电流传感功能的FRD芯片，包括芯片，所述芯片的边缘为IGBT终端保护区，所述芯片的中间部分包括PIN单元区和电流传感区，所述芯片的正面分别设置有FRD芯片阳极和电流传感器正极，且两者之间通过芯片表面金属化层刻蚀而间隔开来，所述FRD芯片阳极位于PIN单元区内，所述电流传感器正极位于电流传感区内，所述芯片的背面设置有FRD芯片阴极，所述电流传感区的电流传感器负极且两者同为一个电极。本发明自带电流传感功能的FRD芯片，结构更加简单紧凑、能够精准地监控和获取芯片工作时电流信息、以实现对模块内部芯片更好的保护，进一步提高模块的寿命和可靠性，同时还可以减小模块的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 传感 功能 frd 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种自带电流传感功能的FRD芯片，包括芯片（12），其特征在于：其特征在于：所述芯片（12）的边缘为IGBT终端保护区，所述芯片（12）的中间部分包括PIN单元区（1）和电流传感区（9），所述PIN单元区（1）包括硅N-衬底（2），所述硅N-衬底（2）上为多PIN单元并联设置，每一个PIN单元包含一个N+区（3）、N-区（4）、P-区（5），P-区（5）的中间为P+接触区（6），所述P+接触区（6）上方为一个金属电极（8）且作为该PIN单元的阳极，各个PIN单元的阳极互连后形成FRD芯片阳极（13），在所述芯片（12）的背面注入形成N+区（3）、再沉积一层金属作为FRD芯片阴极（14），N-区（4）即高电阻率的硅N-衬底（2），所述芯片（12）的正面分别设置有FRD芯片阳极（13）和电流传感器正极（11），且两者之间通过芯片（12）表面金属化层刻蚀而间隔开来，所述FRD芯片阳极（13）位于PIN单元区（1）内，所述电流传感器正极（11）位于电流传感区（9）内，所述芯片（12）的背面设置有FRD芯片阴极（14），所述电流传感区（9）的电流传感器负极（10）且两者同为一个电极。/n
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