[发明专利]一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置有效
| 申请号： | 201910879808.4 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110565066B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 彭建国;陈宏伟;彭伟华;孔智超 | 申请（专利权）人： | 北京阿尔玛斯科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C30B25/00;C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置，涉及半导体材料领域。共掺杂金刚石的晶格结构包括多个碳原子、一个硼原子、多个硫原子以及多个空位，其不大于0.17％的供体原子提供0.25～0.27eV电离能量的传导电子。共掺杂金刚石的制备方法主要是将金刚石衬底置于热丝反应室中，往热丝反应室内通入氢气至气压达35托以上；将热丝加热至2000～2400℃，金刚石衬底加热至650～1000℃；往热丝反应室内通入含有碳源和硼硫掺杂剂的氢气，在金刚石衬底的晶面上沉积形成硼硫共掺杂金刚石。共掺杂金刚石及制备方法与半导体材料、装置能够得到优质的n型半导体材料，满足金刚石基半导体器件的性能需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 金刚石 制备 方法 半导体材料 装置 | ||
【主权项】：
1.一种共掺杂金刚石，其特征在于，所述共掺杂金刚石的晶格结构包括多个碳原子、一个硼原子、多个硫原子以及多个空位，其不大于0.17％的供体原子提供0.25～0.27eV电离能量的传导电子。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
