[发明专利]一种改进的OPC方法和掩膜图形的制作方法在审
| 申请号： | 201910872794.3 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112506000A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改进的OPC(光学邻近效应校正)方法和掩膜图形的制作方法。本发明中改进的OPC方法包括：获取原始版图图形；使用标准OPC程式修正所述原始版图图形得到修正版图图形；获取所述修正版图图形的工艺窗口；根据所述工艺窗口的结果，将所述修正版图图形划分为参考版图图形和缺陷版图图形；使用特殊OPC程式修正所述缺陷版图图形，使所述缺陷版图图形的工艺窗口满足要求。本发明通过把不同的修正方法进行结合，保证了修正质量和修正速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 opc 方法 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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