[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法在审
| 申请号： | 201910871335.3 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112510133A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘珊珊;纪思美;陈顺利;李士涛 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 傅康 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所述第二牺牲层设置于第一牺牲层和所述衬底之间，且所述第一牺牲层的折射率大于所述第二牺牲层的折射率。本申请提供的所述发光二极管芯片的亮度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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