[发明专利]一种沟槽栅型IGBT器件及其制备方法、装置在审
| 申请号： | 201910870940.9 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110571270A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李立;金锐;董少华;王耀华;高明超;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 寇海侠 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种沟槽栅型IGBT器件及其制备方法、装置，其中，沟槽栅型IGBT器件，包括沟槽栅结构，其第四功能区层位于第三功能区层与第一电极之间，在第三功能区层上设置有第二功能区层，在第二功能区层的内部成型第一功能区层、第三电极、第一电极层和第二电极层，在第二电极上成型介质层，介质层位于第二电极与第三电极之间，第三电极的一端面与介质层接触，第三电极的另一端面和侧壁区域被第一电极层包围，第二电极层与介质层平行且与沟槽栅结构的底部区域接触，第一功能区层分别与第二电极和介质层接触且设置在沟槽栅结构的两侧，以及在沟槽栅结构设置第二电极层可使得沟槽栅型IGBT器件的反向传输电容得到有效降低。 | ||
| 搜索关键词： | 功能区层 第二电极 沟槽栅结构 第三电极 介质层 第一电极 沟槽栅型 侧壁区域 成型介质 底部区域 反向传输 电容 制备 成型 平行 包围 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅型IGBT器件，包括：第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的第三电极、第一电极层、第二电极层、介质层、第一功能区层、第二功能区层、第三功能区层和第四功能区层，其中，所述第三电极、所述第一电极层和所述第二电极层构成沟槽栅结构，其特征在于，所述第四功能区层位于所述第三功能区层与所述第一电极之间，在所述第三功能区层上设置有第二功能区层，在所述第二功能区层的内部成型所述第一功能区层、所述第三电极、所述第一电极层和所述第二电极层，在所述第二电极上成型所述介质层，所述介质层位于所述第二电极与所述第三电极之间，所述第三电极的一端面与所述介质层接触，所述第三电极的另一端面和侧壁区域被所述第一电极层包围，所述第二电极层与所述介质层平行且与所述沟槽栅结构的底部区域接触，所述第一功能区层分别与所述第二电极和所述介质层接触且设置在所述沟槽栅结构的两侧。/n
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