[发明专利]一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构在审
| 申请号： | 201910861731.8 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110729253A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 吴汪然;朱浩;王耀辉;杨光安;汤鹏宇;孙伟锋;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L23/10 | 分类号： | H01L23/10;H01L23/367;H01L29/739 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，包含发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板。所述的下钼片为一侧是平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向外突出的球面，面向发射极电极板一侧为平面；所述的上钼片一侧为平面一侧为球面，其中面向芯片一侧为向内凹陷的球面，面向集电极电极板的一侧为平面。可通过调节上钼片与下钼片球面一侧的曲率，来改变压接在其中间IGBT芯片的曲率，在不损坏IGBT芯片的前提下，可使其获得不同大小的双轴应力，其中所述的IGBT芯片集电极应面向上钼片，而发射极与源极则面向下钼片。本发明可降低器件的导通压降并提升器件的电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 球面 电极板 上钼片 下钼片 发射极 曲率 集电极 芯片 发射极金属 集电极金属 导通压降 电流能力 降低器件 双轴应变 提升器件 向内凹陷 压装结构 压接式 双轴 凸台 压接 银片 引入 | ||
【主权项】：
1.一种可引入双轴应变的IGBT压接式压装结构，其特征在于，压接型IGBT压装的整个结构，包括发射极金属电极板(7)、发射极凸台(6)、银片(5)、下钼片(4)、IGBT芯片(3)、上钼片(2)和集电极金属电极板(1)，以上的所有部件按照发射极金属电极板、发射极凸台、银片、下钼片、IGBT芯片、上钼片和集电极金属电极板的顺序从下向上排列，通过压力接触的方式组合在一起。/n
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