[发明专利]NAND闪速存储器中针对读取阈值基于深度学习的回归框架在审
| 申请号： | 201910854031.6 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112133353A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 熊晨荣;张帆;吕宣宣;迈萨姆·阿萨迪;陈建卿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/30;G11C29/42;H03M13/11;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李青;张澜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及NAND闪速存储器中针对读取阈值基于深度学习的回归框架并且描述了与提高至少与从存储器读取数据相关的性能相关的技术。在示例中，计算机系统对包括神经网络的回归模型进行托管。神经网络基于在操作条件和存储条件的不同组合下测量的训练数据来进行训练。在操作中，将与存储器相关联的实际操作和存储条件输入到回归模型。神经网络基于这些实际条件来输出电压读取阈值。计算机系统使用该电压读取阈值来读取存储器中存储的数据。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 针对 读取 阈值 基于 深度 学习 回归 框架 | ||
【主权项】：
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