[发明专利]半导体芯片与垂直腔表面发射激光器装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201910842750.6 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN111987587A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈志彬;刘铭棋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01L25/16 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)装置。所述垂直腔表面发射激光器装置包括结合凸块、垂直腔表面发射激光器结构以及结合环。结合凸块上覆在衬底上。垂直腔表面发射激光器结构上覆在结合凸块上。垂直腔表面发射激光器结构包括第一反射器、光学有源区及第二反射器。第二反射器上覆在光学有源区上，第一反射器在光学有源区之下。结合环上覆在衬底上且在横向上与结合凸块隔开。结合环连续地延伸而围绕结合凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 垂直 表面 发射 激光器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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