[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201910840376.6 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110943039A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 铃木稔 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，对背面上层叠有芯片贴装层的晶片进行分割，减小间隔道、缩短加工时间并且高效地将芯片贴装层断开。该晶片的加工方法具有如下步骤：晶片分割步骤，隔着具有沿着分割预定线(S)的开口的掩模(J1)而对晶片(W)实施等离子蚀刻，对晶片进行分割而形成芯片(C)；片粘贴步骤，在实施晶片分割步骤之前或之后，在晶片的背面(Wb)上层叠芯片贴装层(T2)，隔着芯片贴装层而将晶片粘贴于扩展片(T1)；溶剂提供步骤，在实施了晶片分割步骤和片粘贴步骤之后，从晶片的正面(Wa)侧向相邻的芯片之间提供使芯片贴装层劣化的溶剂，使在芯片之间露出的芯片贴装层劣化；以及断裂步骤，在实施了溶剂提供步骤之后，对扩展片进行扩展而使芯片贴装层沿着蚀刻槽(M)断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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