[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201910840376.6 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110943039A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 铃木稔 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上设定有交叉的多条分割预定线，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
晶片分割步骤，隔着具有沿着该分割预定线的开口的掩模而对晶片实施等离子蚀刻，沿着该分割预定线对晶片进行分割而形成多个芯片；
片粘贴步骤，在实施该晶片分割步骤之前或之后，在晶片的背面上层叠芯片贴装层，隔着该芯片贴装层而将晶片粘贴于扩展片；
溶剂提供步骤，在实施了该晶片分割步骤和该片粘贴步骤之后，从晶片的该正面侧向相邻的芯片之间提供使该芯片贴装层劣化的溶剂，使在相邻的芯片之间露出的该芯片贴装层劣化；以及
断裂步骤，在实施了该溶剂提供步骤之后，对该扩展片进行扩展而使该芯片贴装层沿着蚀刻槽断裂。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
所述片粘贴步骤在实施所述晶片分割步骤之前实施，
在该晶片分割步骤中，在晶片的正面上形成所述掩模，从晶片的该正面侧实施等离子蚀刻。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在所述晶片分割步骤中，在晶片的背面上形成所述掩模，从晶片的该背面侧实施等离子蚀刻，
该晶片的加工方法具有如下的掩模去除步骤：在实施了该晶片分割步骤之后，将该掩模去除，
所述片粘贴步骤在实施了该掩模去除步骤之后实施。
4.根据权利要求2所述的晶片的加工方法，其中，
所述掩模由水溶性树脂构成，
该晶片的加工方法还具有如下的清洗步骤：在实施了所述断裂步骤之后，对晶片进行清洗而将该掩模和所述溶剂去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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