[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，对背面上层叠有芯片贴装层的晶片进行分割，减小间隔道、缩短加工时间并且高效地将芯片贴装层断开。该晶片的加工方法具有如下步骤：晶片分割步骤，隔着具有沿着分割预定线(S)的开口的掩模(J1)而对晶片(W)实施等离子蚀刻，对晶片进行分割而形成芯片(C)；片粘贴步骤，在实施晶片分割步骤之前或之后，在晶片的背面(Wb)上层叠芯片贴装层(T2)，隔着芯片贴装层而将晶片粘贴于扩展片(T1)；溶剂提供步骤，在实施了晶片分割步骤和片粘贴步骤之后，从晶片的正面(Wa)侧向相邻的芯片之间提供使芯片贴装层劣化的溶剂，使在芯片之间露出的芯片贴装层劣化；以及断裂步骤，在实施了溶剂提供步骤之后，对扩展片进行扩展而使芯片贴装层沿着蚀刻槽(M)断裂。

技术领域

本发明涉及在背面上层叠有芯片贴装层的晶片的加工方法。

背景技术

为了缩小设定在正面上的间隔道(分割预定线)的宽度(减小间隔道)而增加每个晶片的芯片的数量以及为了缩短加工时间，以往使用所谓的等离子切割，利用等离子蚀刻对作为被加工物的晶片进行分割(例如，参照专利文献1)。

另外，为了将对半导体晶片进行分割而形成的半导体芯片安装于安装基板，有如下的技术：预先在半导体晶片的背面上粘贴被称为DAF(Die Attach Film：芯片贴装膜)的固晶用的粘接膜，借助分割后的芯片的背面的粘接膜而将芯片粘接于安装基板(例如，参照专利文献2)。该技术在晶片的分割前将DAF粘贴于晶片，因此能够一并在芯片的背面上配置DAF，效率良好。

专利文献1：日本特开2016-207737号公报

专利文献2：日本特开2000-182995号公报

专利文献3：日本特许4090492号公报

专利文献4：日本特开2010-206136号公报

在等离子蚀刻中，广泛采用所谓的BOSCH法，其适合以高速且以期望的纵横比实现晶片的垂直的深加工(例如，参照专利文献3)，但对于在BOSCH法中所使用的蚀刻气体，存在DAF不容易被蚀刻或不被蚀刻的问题。

另外，提出了利用扩展而使DAF断裂的装置(例如，参照专利文献4)，但当芯片尺寸例如减小至数毫米以下时，存在凭借扩展不容易分割的问题。

还考虑了利用激光加工装置将DAF断开，但存在如下的问题：在芯片尺寸较小的晶片中，要进行激光加工的线较多，花费加工时间，效率较差。

由此，在对在背面上层叠有芯片贴装层(DAF)的晶片进行分割的情况下，存在如下的课题：实现减小间隔道和缩短加工时间，并且能够高效地将芯片贴装层断开。

发明内容

本发明提供晶片的加工方法，在对背面上层叠有芯片贴装层的晶片进行分割的情况下，减小间隔道，缩短加工时间，并且高效地将芯片贴装层断开。

用于解决上述课题的本发明是晶片的加工方法，该晶片在正面上设定有交叉的多条分割预定线，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：晶片分割步骤，隔着具有沿着该分割预定线的开口的掩模而对晶片实施等离子蚀刻，沿着该分割预定线对晶片进行分割而形成多个芯片；片粘贴步骤，在实施该晶片分割步骤之前或之后，在晶片的背面上层叠芯片贴装层，隔着该芯片贴装层而将晶片粘贴于扩展片；溶剂提供步骤，在实施了该晶片分割步骤和该片粘贴步骤之后，从晶片的该正面侧向相邻的芯片之间提供使该芯片贴装层劣化的溶剂，使在相邻的芯片之间露出的该芯片贴装层劣化；以及断裂步骤，在实施了该溶剂提供步骤之后，对该扩展片进行扩展而使该芯片贴装层沿着蚀刻槽断裂。

优选所述片粘贴步骤在实施所述晶片分割步骤之前实施，在该晶片分割步骤中，在晶片的正面上形成所述掩模，从晶片的该正面侧实施等离子蚀刻。