[发明专利]大板扇出型芯片封装结构及其制作方法在审
申请号: | 201910831913.0 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN110648924A | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 崔成强;雷珍南;杨斌;李潮;匡自亮 | 申请(专利权)人: | 广东芯华微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 44377 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 陈志超;黄家豪 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种大板扇出型芯片封装结构及其制作方法,该方法包括以下步骤:S101、在载板上设置临时键合胶层,并在所述临时键合胶层上设置多个芯片,其中,所述芯片包括底面以及顶面,所述芯片的顶面设置有I\O端,所述芯片的顶面与所述临时键合胶层接触;S102、在每一所述芯片的底面上设置散热胶层,并在所述散热胶层以及所述临时键合胶层上设置导热材料层,所述导热材料层将每一所述芯片包裹在内;S103、在所述导热材料层上设置封装材料层;S104、去除所述载板以及所述临时键合胶层以露出所述导热材料层以及芯片的顶面;S105、在所述导热材料层的背向所述封装材料层的一面上以及芯片的顶面上依次设置介电材料层以及金属线路层。 | ||
搜索关键词: | 芯片 导热材料层 临时键合 胶层 顶面 封装材料层 散热胶层 芯片封装结构 介电材料层 金属线路层 依次设置 扇出型 大板 底面 去除 载板 制作 | ||
【主权项】:
1.一种大板扇出型芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS101、在载板上设置临时键合胶层,并在所述临时键合胶层上设置多个芯片,其中,所述芯片包括底面以及顶面,所述芯片的顶面设置有I\O端,所述芯片的顶面与所述临时键合胶层接触;/nS102、在每一所述芯片的底面上设置散热胶层,并在所述散热胶层以及所述临时键合胶层上设置导热材料层,所述导热材料层将每一所述芯片包裹在内;/nS103、在所述导热材料层上设置封装材料层;/nS104、去除所述载板以及所述临时键合胶层以露出所述导热材料层以及芯片的顶面;/nS105、在所述导热材料层的背向所述封装材料层的一面上以及芯片的顶面上依次设置介电材料层以及金属线路层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造