[发明专利]利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910783401.1 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112481600A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 许烁烁;刘舟;陈特超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/511;C23C16/455;C23C16/52;H01L31/18;H01L31/056;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;徐好 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法，包括步骤S1在硅片背面沉积氧化铝薄膜，S2：在硅片背面沉积氮氧化硅薄膜：S2.1将平板式PECVD设备的反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；S2.2将工艺气体通入反应腔体，并将1～2对微波发生器产生的微波导入反应腔体；S3：在硅片背面沉积氮化硅薄膜：S3.1将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；S3.2将工艺气体通入反应腔体内，并将多对微波发生器产生的微波导入反应腔体。本发明具有正面电池的转换效率高、双面率高、抗衰减率低、反应时间短、生产效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 平板 pecvd 设备 沉积 双面 perc 电池 背面 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
