[发明专利]利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法，包括步骤S1在硅片(1)背面沉积氧化铝薄膜(2)，其特征在于：还包括步骤：

S2：在硅片(1)背面沉积氮氧化硅薄膜(3)：

S2.1将平板式PECVD设备的反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；

S2.2将工艺气体通入反应腔体，并将1～2对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；

其中，每对微波发生器中，左右微波发生器的峰值功率均为3000W～6000W，一个脉冲周期中，脉冲打开时间为6ms～10ms，脉冲关闭时间为6ms～10ms，微波频移0％～50％；所述工艺气体为硅烷、氨气和笑气；每对微波发生器的工艺气体流量为：氨气500sccm～1500sccm、笑气500sccm～1500sccm且硅烷250sccm～500sccm；加热温度为350℃～500℃；工艺过程中反应腔体内压力保持在0.2mbar～0.3mbar；工艺传送速率为200cm/min～400cm/min；

S3：在硅片(1)背面沉积氮化硅薄膜(4)：

S3.1将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；

S3.2将工艺气体通入反应腔体内，并将多对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；

其中，每对微波发生器中，左右微波发生器的峰值功率均为3000W～5000W，一个脉冲周期中，脉冲打开时间为6ms～10ms，脉冲关闭时间为6ms～10ms，微波频移0％～50％；所述工艺气体为硅烷和氨气；每对微波发生器的工艺气体流量为：氨气800sccm～1500sccm，硅烷250sccm～500sccm；加热温度为350℃～500℃；工艺过程中反应腔体内压力保持在0.2mbar～0.3mbar；工艺传送速率为200cm/min～400cm/min。

2.根据权利要求1所述的利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法，其特征在于：步骤S2中反应腔体内的反应时间为13～15秒。

3.根据权利要求2所述的利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法，其特征在于：步骤S3中反应腔体内的反应时间为45～60秒。

4.根据权利要求1或2或3所述的利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法，其特征在于：步骤S3中微波发生器的数量为6～10对。

5.根据权利要求1或2或3所述的利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法，其特征在于：步骤S2中制备的氮氧化硅薄膜(3)膜厚为10～40nm。

6.根据权利要求5所述的利用平板式PECVD设备沉积双面PERC电池背面薄膜的方法，其特征在于：步骤S3中制备的氮化硅薄膜(4)膜厚为80～150nm。