[发明专利]一种黑硅制备方法及太阳能电池有效
| 申请号： | 201910769412.4 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110473929B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 马玉超;李宏伟;单伟;何胜;徐伟智 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18;C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田媛媛 |
| 地址： | 311305 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种黑硅制备方法，包括：获取硅片；利用预制催化剂胶体在硅片的上表面形成催化剂膜层，得到预处理硅片，预制催化剂胶体包括催化剂、助剂、氧化硅；将预处理硅片置于酸溶液中使催化剂进入预处理硅片，得到黑硅。可见，本申请中的黑硅制备方法，在硅片的上表面形成催化剂膜层，催化剂膜层是由预制催化剂胶体形成的，催化剂在预制催化剂胶体中是均匀分布的，因此在催化剂膜层中催化剂也是均匀分布的，然后将表面涂有催化剂膜层的预处理硅片放入酸溶液中，使位于催化剂膜层中的催化剂落入预处理硅片中后，在预处理硅片中均匀分布，使得到的黑硅表面颜色均匀，改善黑硅外观。此外，本申请还提供一种具有上述优点的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种黑硅制备方法，其特征在于，包括：/n获取硅片；/n利用预制催化剂胶体在所述硅片的上表面形成催化剂膜层，得到预处理硅片，所述预制催化剂胶体包括催化剂、助剂、氧化硅；/n将所述预处理硅片置于酸溶液中使所述催化剂进入所述预处理硅片，得到黑硅。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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