[发明专利]一种黑硅制备方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种黑硅制备方法，其特征在于，包括：

获取硅片；

利用预制催化剂胶体在所述硅片的上表面形成催化剂膜层，得到预处理硅片，所述预制催化剂胶体包括催化剂、助剂、氧化硅；所述预制催化剂胶体为溶液状胶体；

将所述预处理硅片置于酸溶液中使所述催化剂进入所述预处理硅片，得到黑硅；其中，所述氧化硅与所述酸溶液反应，以去除所述催化剂膜层并使所述催化剂均匀沉积在所述预处理硅片的表面。

2.如权利要求1所述的黑硅制备方法，其特征在于，所述利用预制催化剂胶体在所述硅片的上表面形成催化剂膜层包括：

利用旋涂方法将所述预制催化剂胶体在所述硅片的上表面形成所述催化剂膜层。

3.如权利要求2所述的黑硅制备方法，其特征在于，所述催化剂为下述任一种或者任意组合催化剂：

银离子、铜离子、铁离子。

4.如权利要求1至3任一项所述的黑硅制备方法，其特征在于，所述催化剂、所述氧化硅、所述助剂的质量比为0.8～1.2:100:200。

5.如权利要求1所述的黑硅制备方法，其特征在于，预处理硅片置于酸溶液中得到黑硅的过程包括两种方式，一种为：将所述预处理硅片置于硝酸和氢氟酸的酸溶液中，氧化硅溶于酸溶液中，去除所述催化剂膜层，所述催化剂均匀沉积在所述预处理硅片的表面；然后取出表面沉积有所述催化剂的所述预处理硅片，再将表面沉积有所述催化剂的所述预处理硅片置于硝酸和氢氟酸的酸溶液中，所述催化剂下方的硅被腐蚀从而在所述预处理硅片的表面形成凹槽，所述催化剂落入凹槽中，达到刻蚀预处理硅片的效果，制得黑硅；另一种方式为：将所述预处理硅片置于酸溶液中，所述催化剂沉积在所述预处理硅片的表面、所述预处理硅片的表面被腐蚀均在该酸溶液中进行。

6.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

黑硅，且所述黑硅为如权利要求1至5任一项所述的黑硅制备方法得到；

位于所述黑硅的上表面的扩散层；

位于所述扩散层的上表面的隧穿层；

位于所述隧穿层的上表面的减反层；

位于所述减反层的上表面的正电极；

位于所述黑硅的下表面的钝化层；

位于所述钝化层的下表面的氮化硅层；

位于所述氮化硅层的下表面的背电极。

7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度取值范围为2纳米至4纳米，包括端点值。

8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化层的厚度取值范围为4纳米至15纳米，包括端点值。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅层的厚度取值范围为100纳米至150纳米，包括端点值。

10.如权利要求6至9任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反层的厚度取值范围为60纳米至90纳米，包括端点值。