[发明专利]一种黑硅制备方法及太阳能电池

说明书

本申请公开了一种黑硅制备方法，包括：获取硅片；利用预制催化剂胶体在硅片的上表面形成催化剂膜层，得到预处理硅片，预制催化剂胶体包括催化剂、助剂、氧化硅；将预处理硅片置于酸溶液中使催化剂进入预处理硅片，得到黑硅。可见，本申请中的黑硅制备方法，在硅片的上表面形成催化剂膜层，催化剂膜层是由预制催化剂胶体形成的，催化剂在预制催化剂胶体中是均匀分布的，因此在催化剂膜层中催化剂也是均匀分布的，然后将表面涂有催化剂膜层的预处理硅片放入酸溶液中，使位于催化剂膜层中的催化剂落入预处理硅片中后，在预处理硅片中均匀分布，使得到的黑硅表面颜色均匀，改善黑硅外观。此外，本申请还提供一种具有上述优点的太阳能电池。

技术领域

本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种黑硅制备方法及太阳能电池。

背景技术

黑硅是硅材料经过表面改性获得的一种新型光电材料，可以有效降低硅材料对太阳光谱的反射并增加对太阳光谱的吸收，从而提高黑硅太阳能电池的效率。

近年来，利用金属催化化学刻蚀(Metal Catalyzed Chemical Etching，简称MCCE)制备黑硅是一种常用的方法。通过将硅片放入含有金属催化剂的刻蚀液中，使金属催化剂沉积在硅片的表面，然后再将表面沉积有金属催化剂的硅片置于酸性溶液中，金属催化剂沉积位置处的硅片被腐蚀形成凹槽，金属催化剂落入凹槽从而进入硅片中，制得黑硅，但是该种方法，在硅片表面的金属催化剂沉积并不均匀，从而使得催化剂进入硅片后仍然分布不均匀，使黑硅表面看起来一部分颜色深，一部分颜色浅，影响黑硅的外观。

因此，如何改善黑硅的外观应是本领技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种黑硅制备方法及太阳能电池，改善黑硅和太阳能电池的外观。

为解决上述技术问题，本申请提供一种黑硅制备方法，包括：

获取硅片；

利用预制催化剂胶体在所述硅片的上表面形成催化剂膜层，得到预处理硅片，所述预制催化剂胶体包括催化剂、助剂、氧化硅；

将所述预处理硅片置于酸溶液中使所述催化剂进入所述预处理硅片，得到黑硅。

可选的，所述利用预制催化剂胶体在所述硅片的上表面形成催化剂膜层包括：

利用旋涂方法将所述预制催化剂胶体在所述硅片的上表面形成所述催化剂膜层。

可选的，所述催化剂为下述任一种或者任意组合催化剂：

银离子、铜离子、铁离子。

可选的，所述催化剂、所述氧化硅、所述助剂的质量比为0.8～1.2:100:200。

本申请还提供一种太阳能电池，包括：

黑硅，且所述黑硅为如上述任一种所述的黑硅制备方法得到；

位于所述黑硅的上表面的扩散层；

位于所述扩散层的上表面的隧穿层；

位于所述隧穿层的上表面的减反层；

位于所述减反层的上表面的正电极；

位于所述黑硅的下表面的钝化层；

位于所述钝化层的下表面的氮化硅层；

位于所述氮化硅层的下表面的背电极。

可选的，所述隧穿层的厚度取值范围为2纳米至4纳米，包括端点值。

可选的，所述钝化层的厚度取值范围为4纳米至15纳米，包括端点值。

可选的，所述氮化硅层的厚度取值范围为100纳米至150纳米，包括端点值。