[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板在审
| 申请号： | 201910762076.0 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110610900A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 胡泉;李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板，该方法包括：提供玻璃基板，在所述玻璃基板上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备第一半导体层，以形成开关薄膜晶体管，所述第一半导体层由金属氧化物制成。本发明提供的显示面板制备方法通过将显示面板中开关薄膜晶体管对应设置的第一半导体层材料换为金属氧化物，由于金属氧化物可以提高电流中载流子的移动速率，进而提高电流的移动速度，所以可以大大提高开关薄膜晶体管的在暗态显示时的放电速度，使得开关薄膜晶体管在关态下的漏电流大大减小，从而降低开关薄膜晶体管的关态电流对驱动薄膜晶体管的影响，改善显示面板在关态时的亮点问题。 | ||
| 搜索关键词： | 开关薄膜晶体管 显示面板 制备 金属氧化物 半导体层 玻璃基板 缓冲层 关态 载流子 驱动薄膜晶体管 半导体层材料 暗态显示 关态电流 漏电流 移动 放电 减小 | ||
【主权项】：
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供玻璃基板，在所述玻璃基板上制备缓冲层；/n在所述缓冲层上制备第一半导体层，以形成至少一个开关薄膜晶体管，所述第一半导体层由金属氧化物制成；/n在所述缓冲层上制备第二半导体层，以形成驱动薄膜晶体管，所述第一半导体层由多晶硅制成。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910762076.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种盲孔金属化铝基板及其生产工艺
- 下一篇：阵列基板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
