[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板在审

专利信息
申请号: 201910762076.0 申请日: 2019-08-19
公开(公告)号: CN110610900A 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 胡泉;李松杉 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 开关薄膜晶体管 显示面板 制备 金属氧化物 半导体层 玻璃基板 缓冲层 关态 载流子 驱动薄膜晶体管 半导体层材料 暗态显示 关态电流 漏电流 移动 放电 减小
【说明书】:

发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板,该方法包括:提供玻璃基板,在所述玻璃基板上制备缓冲层;在所述缓冲层上制备第一半导体层,以形成开关薄膜晶体管,所述第一半导体层由金属氧化物制成。本发明提供的显示面板制备方法通过将显示面板中开关薄膜晶体管对应设置的第一半导体层材料换为金属氧化物,由于金属氧化物可以提高电流中载流子的移动速率,进而提高电流的移动速度,所以可以大大提高开关薄膜晶体管的在暗态显示时的放电速度,使得开关薄膜晶体管在关态下的漏电流大大减小,从而降低开关薄膜晶体管的关态电流对驱动薄膜晶体管的影响,改善显示面板在关态时的亮点问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。

传统的智能手机发光区的面板驱动一般包括驱动薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)和开关薄膜晶体管,目前驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的主动层都采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)制备。

但是采用多晶硅制成的TFT在关态下的漏电流非常大,导致TFT无法全部关断;当显示面板在暗态显示画面时,驱动薄膜晶体管正常工作,而开关晶体管和属于关闭状态,但由于开关薄膜晶体管的漏电流非常大,使得开关薄膜晶体管无法全部关断,驱动薄膜晶体管的栅极端电压会通过开关薄膜晶体管漏掉,使驱动薄膜晶体管栅极端电压下降,栅极电压下降会导致面板在暗态显示时出现亮点,影响面板显示效果。

发明内容

本发明针对现有技术下的显示面板,在暗态显示时出现亮点的问题,提出一种显示面板的制备方法及显示面板。

第一方面,本发明提供一种显示面板的制备方法,所述方法包括:提供玻璃基板,在所述玻璃基板上制备缓冲层;

在所述缓冲层上制备第一半导体层,以形成至少一个开关薄膜晶体管,所述第一半导体层由金属氧化物制成;

在所述缓冲层上制备第二半导体层,以形成驱动薄膜晶体管,所述第一半导体层由多晶硅制成。

进一步的,所述金属氧化物为铟镓锌氧化物。

进一步的,所述第二半导体层由金属氧化物制成。

进一步的,所述第一半导体层与所述第二半导体层的上表面处于同一水平线高度。

进一步的,所述在所述缓冲层上制备第一半导体层包括:

在所述缓冲层上利用化学气相沉积法进行金属氧化物成膜,并经曝光处理后得到金属氧化物膜;

对所述金属氧化物膜进行湿法刻蚀得到所述第一半导体层。

本发明还提供一种显示面板,所述显示面板包括驱动薄膜晶体管和至少一个开关薄膜晶体管,所述至少一个开关薄膜晶体管包括第一半导体层,所述第一半导体层由金属氧化物制成,所述驱动薄膜晶体管包括第二半导体层,所述第二半导体层由多晶硅制成。

进一步的,所述金属氧化物为铟镓锌氧化物。

进一步的,所述至少一个开关薄膜晶体管包括第一开关薄膜晶体管、第二开关薄膜晶体管、第三开关薄膜晶体管、第四开关薄膜晶体管、第五开关薄膜晶体管和第六开关薄膜晶体管;

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