[发明专利]一种高亮度图形化复合衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201910742946.8 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110444642B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘建哲;徐良;李昌勋;史伟言;夏建白;祝小林;朱伟明 | 申请（专利权）人： | 黄山博蓝特半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) 34128 | 代理人： | 曹宏筠 |
| 地址： | 245000 安徽省黄山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高亮度图形化复合衬底的制备方法，主要包括以下步骤：在蓝宝石平片上形成一组负性光刻胶柱；以负性光刻胶柱作为遮挡采用湿法腐蚀在蓝宝石平片上形成一组凹面结构；利用蒸镀原理在蓝宝石平片上沉积一层金属涂层；通过剥离工艺去除负性光刻胶柱及其上面的金属涂层；利用等离子增强化学气相沉积方法在蓝宝石平片上沉积一层SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 亮度 图形 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度图形化复合衬底的制备方法，包括以下步骤：(1)首先选择一表面平整且双面抛光的蓝宝石平片，清洗去除表面的杂质；(2)在蓝宝石平片上涂覆一层负性光刻胶涂层，并通过曝光、显影选择性的去除不需要的部分，在蓝宝石平片上形成一组负性光刻胶柱；(3)以负性光刻胶柱作为遮挡采用湿法腐蚀在蓝宝石平片上形成一组凹面结构；(4)利用蒸镀原理在蓝宝石平片有凹面结构的一面上沉积一层金属涂层；(5)通过剥离工艺去除负性光刻胶柱及其上面的金属涂层；(6)利用等离子增强化学气相沉积方法在蓝宝石平片上沉积一层SiO2涂层；(7)在SiO2涂层上涂覆一层负性光刻胶涂层，并曝光、显影选择性的去除不需要的部分，从而在SiO2涂层上形成一组负性光刻胶柱；(8)以负性光刻胶柱和SiO2涂层作为阻挡层进行ICP刻蚀，从而得到高亮度图形化复合衬底。
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