[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910741132.2 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110838517A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体装置及其制造方法，目在于实现稳定的耐压特性、与断开时的泄漏电流的降低相伴的低断开损耗化、截止动作的控制性提高及截止时的断路能力的提高。N缓冲层(15)具备：第1缓冲层(15a)，其与有源层接合，具有1个杂质浓度的峰值点；以及第2缓冲层(15bs)，其与第1缓冲层(15a)及N |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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