[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括依次层叠设置的玻璃基板、阻隔层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、钝化层和像素电极。所述制作方法包括：提供一玻璃基板、制作阻隔层、制作缓冲层、制作有源层、制作栅极绝缘层、制作栅极层、图案化步骤、等离子体掺杂步骤、制作层间绝缘层、制作源漏极层、制作钝化层以及制作像素电极。本发明通过在制作所述有源层和制作所述栅极层时通过设计所述光阻层的横截面呈凸字型，通过修正光阻层的方式改变其宽度，从而可共用一道半色调掩膜板来完成两道光罩制程，减少了掩膜板使用的数目，有利于提高生产效率，降低制程成本。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：/n提供一玻璃基板；/n制作阻隔层，在所述玻璃基板上制作阻隔层并图案化处理；/n制作缓冲层，在所述阻隔层上制作缓冲层；/n制作有源层，在所述缓冲层上制作有源层；/n制作栅极绝缘层，在所述有源层上制作栅极绝缘层；/n制作栅极层，在所述栅极绝缘层上制作栅极层；/n图案化步骤，在所述栅极层上制作光阻层，依次蚀刻所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层，得到所述栅极层、所述栅极绝缘层以及所述有源层；修正光阻层并再次蚀刻去除所述栅极层、所述栅极绝缘层的边缘部分并裸露所述有源层的两端；/n等离子体掺杂步骤，移除所述光阻层并对所述有源层的两端进行等离子体掺杂，以在所述有源层上形成掺杂区和沟道区；/n制作层间绝缘层，在所述栅极层上制作层间绝缘层并图案化处理；/n制作源漏极层，在所述层间绝缘层上制作源漏极层并图案化处理；/n制作钝化层，在所述源漏极层上制作钝化层；以及/n制作像素电极，在所述钝化层上制作像素电极。/n