[发明专利]包括凹陷的半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910733034.4 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110828386A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | T·贝默尔;M·施塔德勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其包括：管芯载体，其包括位于所述管芯载体的第一表面上的X形凹陷；半导体管芯，其布置在所述管芯载体的所述第一表面之上并且至少部分地覆盖所述X形凹陷；以及耦合剂，其将所述半导体管芯附接至所述管芯载体，其中，所述耦合剂至少部分地布置在所述X形凹陷中，其中，所述X形凹陷的四个臂中的每者指向所述半导体管芯的拐角，并且在投射到所述管芯载体的所述第一表面上的正交投影中在所述半导体管芯的轮廓之上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 凹陷 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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