[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201910730351.0 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110459462B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 黄胜男;曹开玮;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括将一衬底置于反应腔内；向所述反应腔内通入反应气体以生成氮氧化硅层于所述衬底上；在所述氮氧化硅层达到控制要求之后，立刻停止通入所述反应气体，不进行反应腔净化的步骤，以使所述氮氧化硅层表面的电荷密度大于一设定值，从而可以尽可能的中和后续采用高密度等离子化学气相沉积工艺形成介质层时产生的高密度、高能量的等离子体，增强了所述氮氧化硅层抵挡等离子体的能力，能够减弱等离子体损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n将一衬底置于反应腔内；/n向所述反应腔内通入反应气体以生成氮氧化硅层于所述衬底上；/n在所述氮氧化硅层达到控制要求之后，停止通入所述反应气体，以使所述氮氧化硅层表面的电荷密度大于一设定值。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910730351.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种硅基底的清洗方法
- 下一篇：石墨烯介质层异质结构的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
