[发明专利]一种三维系统级集成硅基扇出型封装方法及结构在审
| 申请号： | 201910703380.8 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110299294A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王成迁;明雪飞;吉勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768;H01L21/54;H01L21/52;H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种三维系统级集成硅基扇出型封装方法及结构，属于三维系统级集成电路封装技术领域。首先提供硅基，将其与玻璃载板键合；在所述硅基背面刻蚀出凹槽和TSV通孔，在TSV通孔中制作背面第一层重布线，在凹槽中埋入桥芯片；然后用干膜材料填充所述硅基和所述桥芯片间的空隙；在所述桥芯片的焊盘和所述背面第一层重布线的焊盘处开口并制作背面第二层重布线；接着将高密度I/O异质芯片通过微凸点与所述背面第二层重布线的焊盘焊接；塑封所述硅基背面，拆解所述玻璃载板并在所述TSV通孔处开口；制作正面重布线、阻焊层和凸点，切成单颗封装芯片，完成封装。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 重布线 背面 三维系统 桥芯片 焊盘 扇出型封装 玻璃载板 第一层 开口 制作 集成电路封装 背面刻蚀 材料填充 封装芯片 微凸点 阻焊层 拆解 干膜 键合 埋入 塑封 凸点 异质 封装 焊接 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种三维系统级集成硅基扇出型封装方法，其特征在于，包括：提供硅基，将其与玻璃载板键合；在所述硅基背面刻蚀出凹槽和TSV通孔，在TSV通孔中制作背面第一层重布线，在凹槽中埋入桥芯片；用干膜材料填充所述硅基和所述桥芯片间的空隙；在所述桥芯片的焊盘和所述背面第一层重布线的焊盘处开口并制作背面第二层重布线；将高密度I/O异质芯片通过微凸点与所述背面第二层重布线的焊盘焊接；塑封所述硅基背面，拆解所述玻璃载板并在所述TSV通孔处开口；制作正面重布线、阻焊层和凸点，切成单颗封装芯片，完成封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所，未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910703380.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种芯片焊线后模块表面一体式保护方法
- 下一篇：半导体键合封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
