[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910702025.9 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112309979B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/033;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件区以及与器件区相邻的隔离区，器件区用于形成器件鳍部；在基底的器件区上形成第一掩膜层，在基底的隔离区上形成第二掩膜层；以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜刻蚀基底，形成初始衬底和顶部鳍部；去除第二掩膜层，去除第二掩膜层后，第一掩膜层作为鳍部掩膜层；以鳍部掩膜层和隔离区的顶部鳍部为掩膜刻蚀初始衬底，形成衬底、凸出于隔离区衬底的伪鳍部、以及位于器件区顶部鳍部和衬底之间的底部鳍部，底部鳍部和顶部鳍部构成器件鳍部。刻蚀初始衬底时还刻蚀隔离区的顶部鳍部，因此伪鳍部的顶部表面低于底部鳍部的顶部表面，实现鳍切，与采用掩膜进行鳍切的方案相比，增大了工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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