[发明专利]一种超快阻变存储器及其阻态控制方法在审
| 申请号： | 201910689807.3 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110416404A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈志伟;马超;殷月伟;李晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种超快阻变存储器及其阻态控制方法，其中，超快阻变存储器的阻变介质层为过渡金属氧化物介质层，通过对阻变存储器施加电激励，可调控阻变介质层中的氧空位，导致过渡金属元素价态变化，使得超快阻变存储器呈现出不同的电阻状态，进而提高超快阻变存储器的存储密度。另外，通过实验分析发现，超快阻变存储器的高低阻态转换时间可以快至亚纳秒量级，且在高温条件下也有很好的适用性。进一步的，超快阻变存储器的基底为导电硅基底，在承担基底的功能的基础上，还作为超快阻变存储器的底电极存在，可以与传统硅基工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 基底 阻态 阻变介质层 过渡金属氧化物 过渡金属元素 亚纳秒量级 电阻状态 高温条件 硅基工艺 价态变化 实验分析 导电硅 底电极 电激励 介质层 可调控 氧空位 存储 兼容 施加 转换 发现 | ||
【主权项】：
1.一种超快阻变存储器，其特征在于，包括：导电基底；位于所述导电基底表面的阻变介质层，所述阻变介质层为过渡金属氧化物介质层；位于所述阻变介质层背离所述导电基底一侧的顶电极。
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