[发明专利]具有电磁屏蔽结构的半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201910674961.3 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110783315A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | J·赫格尔;O·哈泽;T·基斯特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种具有双侧冷却结构的半导体封装，其包括：上导电元件，该上导电元件具有向外露出的金属表面；下承载衬底，其具有上导电层、带有向外露出的表面的下导电层和电绝缘层，其中，该电绝缘层布置在上导电层与下导电层之间；第一导电间距保持件，其布置在上导电元件与上导电层之间；至少一个功率半导体芯片，其布置在上导电元件与上导电层之间；第二导电间距保持件，其布置在上导电元件与功率半导体芯片之间；屏蔽结构，其构造用于电磁屏蔽半导体封装的线路。 | ||
| 搜索关键词： | 导电元件 上导电层 功率半导体芯片 半导体封装 间距保持件 电绝缘层 下导电层 导电 电磁屏蔽 金属表面 冷却结构 屏蔽结构 衬底 承载 | ||
【主权项】：
1.一种能够双侧冷却的半导体封装(100，200，300)，所述半导体封装(100，200，300)包括：/n上导电元件(110)，所述上导电元件具有向外露出的金属表面(111)，/n下承载衬底(120)，所述下承载衬底包括上导电层(121)、下导电层(123)和电绝缘层(122)，其中，所述下导电层具有向外露出的表面(124)，所述电绝缘层布置在所述上导电层与所述下导电层(121，123)之间，/n第一导电间距保持件(130)，所述第一导电间距保持件布置在所述上导电元件(110)与所述上导电层(121)之间，/n至少一个功率半导体芯片(140)，所述至少一个功率半导体芯片布置在所述上导电元件(110)与所述上导电层(121)之间，/n第二导电间距保持件(150)，所述第二导电间距保持件布置在所述上导电元件(110)与所述功率半导体芯片(140)之间，/n屏蔽结构，所述屏蔽结构构造用于电磁屏蔽所述半导体封装(100，200，300)的线路(361，362)，/n其中，所述线路(361，362)包括所述半导体封装(100，200，300)的控制连接端(363，364)或测量连接端，/n其中，所述控制连接端(363，364)和/或所述测量连接端以及所述屏蔽结构的至少一个第一部分构造在引线框架中。/n
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