[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910673529.2 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112289687A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良;周玉华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上依次形成有一个或多个堆叠的沟道叠层；形成横跨沟道叠层的栅极结构，栅极结构覆盖沟道叠层的部分顶部和部分侧壁；刻蚀栅极结构两侧的沟道叠层，在栅极结构两侧的沟道叠层内形成露出基底的第一凹槽；刻蚀第一凹槽底部的部分厚度的基底，在栅极结构两侧的基底内形成第二凹槽，第二凹槽的顶部与第一凹槽的底部相连通；在第二凹槽中形成隔离层；在第一凹槽中形成源漏掺杂层，源漏掺杂层位于隔离层上。通过隔离层，实现了源漏掺杂层与基底的电性隔离，有利于减小源漏掺杂层与基底之间的寄生电容和漏电流，且隔离层位于基底中，有利于改善底部穿通的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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