[发明专利]功率半导体模块结构在审
| 申请号： | 201910659270.6 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110379787A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋华平;冉立 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427;H01L23/495 |
| 代理公司： | 重庆乾乙律师事务所 50235 | 代理人： | 侯懋琪;李侠 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种功率半导体模块结构，所述功率半导体模块结构包括绝缘基板、半导体芯片、金属件和相变材料；相变材料和半导体芯片能通过金属件进行热交换，由于相变材料的吸热和放热作用，电路启停周期中，半导体芯片的温升和降温速率都会得到减缓；本发明的有益技术效果是：提出了一种功率半导体模块结构，该方案可有效降低电路启停周期中、半导体芯片的温差。 | ||
| 搜索关键词： | 功率半导体模块 半导体芯片 相变材料 金属件 启停 热交换 吸热 有效降低电路 技术效果 绝缘基板 放热 温升 温差 电路 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块结构，其特征在于：所述功率半导体模块结构包括绝缘基板、半导体芯片、金属件和相变材料；所述绝缘基板由绝缘材料板、背面金属层和多个正面金属层组成；所述背面金属层设置在绝缘材料板的背面；所述正面金属层设置在绝缘材料板的正面；绝缘材料板的正面设置有与半导体芯片匹配的连接区；所述半导体芯片的背面通过第一焊层与连接区连接；半导体芯片的正面设置有焊盘，焊盘的边沿与半导体芯片的边沿留有间隔；所述金属件的底部通过第二焊层与所述焊盘连接；金属件内设置有空腔，金属件的顶部设置有两个或两个以上的通孔，通孔将所述空腔和外环境连通；所述相变材料的相变温度点的取值范围为50~200℃；相变材料设置在金属件的空腔内；所述相变材料的相变温度点位于半导体芯片的最高结温和最低结温之间。
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