[发明专利]半导体装置制造方法及相关半导体裸片有效
| 申请号： | 201910639113.9 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729198B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡明和;陈俊宏;刘俊成;徐玉女;陈鹏任;郑文豪;蔡启铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体装置制造方法及相关半导体裸片。本发明实施例涉及一种半导体装置制造方法，其包含：通过根据与各形成位点相关的环境密度调整形成因数来使多个导电凸块同时分别形成于多个形成位点上；其中所述多个导电凸块包含小于一值的凸块间高度均匀性，且所述环境密度由预定范围内各形成位点周围的相邻形成位点的数目确定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 相关 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置制造方法，其包括：/n通过根据与各形成位点相关的环境密度调整形成因数来使多个导电凸块同时分别形成于多个形成位点上；/n其中所述多个导电凸块包含小于一值的凸块间高度均匀性，且所述环境密度由预定范围内各形成位点周围的相邻形成位点的数目确定。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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