[发明专利]一种三元非心硫化物的晶体材料及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201910637822.3 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110306242A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 林华;李梦月;吴新涛;朱起龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B1/10;G02F1/355;H01S3/16 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞;谢怡婷 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三元非心硫化物的晶体材料及其制备方法与应用。所述三元非心硫化物的晶体材料的制备方法简单，条件温和，制备得到的三元非心硫化物的晶体材料纯度高，且所述三元非心硫化物的晶体材料具有优良的二阶非线性光学性质，其具有大小适中的双折射率，强的粉末倍频响应以及高的激光损伤阈值，可用于红外探测器、红外激光器、激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化物 晶体材料 制备 二阶非线性光学性质 光折变信息处理 激光频率转换 红外激光器 红外探测器 红外探针 激光损伤 双折射率 倍频 可用 应用 响应 | ||
【主权项】：
1.一种Sn2Ga2S5晶体材料的制备方法，所述方法包括：将原料SnCl2、Sn、Ga和S混合，通过中温固相法，制备得到所述Sn2Ga2S5晶体材料。
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