[发明专利]集成电路器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910635989.6 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110729244B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;朱熙宁;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了FinFET图案化方法以用于实现鳍宽度均匀性。示例性方法包括在衬底上方形成心轴层。第一切割去除心轴层的一部分，留下直接邻近伪心轴部件设置的心轴部件。使用心轴部件和伪心轴部件作为蚀刻掩模蚀刻衬底，从而形成伪鳍部件和有源鳍部件，伪鳍部件与有源鳍部件沿第一方向分隔开第一间距。第二切割去除伪鳍部件的一部分和有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开第二间距的伪鳍和分隔开第二间距的有源鳍。第二间距沿着基本垂直于第一方向的第二方向。第三切割去除伪鳍，形成鳍开口。用介电材料填充鳍开口，以形成介电鳍。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路器件的方法，包括：/n在衬底上方形成心轴层；/n执行第一切割以去除所述心轴层的一部分，从而留下设置在所述衬底上方的心轴部件和伪心轴部件，其中，所述伪心轴部件直接邻近所述心轴部件设置；/n使用所述心轴部件和所述伪心轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底，从而形成伪鳍部件和有源鳍部件，其中，所述伪鳍部件与所述有源鳍部件沿第一方向分隔开第一间距；/n执行第二切割以去除所述伪鳍部件的一部分和所述有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开第二间距的伪鳍和分隔开所述第二间距的有源鳍，其中，所述第二间距沿着垂直于所述第一方向的第二方向；/n执行第三切割以去除所述伪鳍，从而形成鳍开口；以及/n用介电材料填充所述鳍开口，从而形成介电鳍。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
