[发明专利]集成电路器件及其形成方法

说明书

公开了FinFET图案化方法以用于实现鳍宽度均匀性。示例性方法包括在衬底上方形成心轴层。第一切割去除心轴层的一部分，留下直接邻近伪心轴部件设置的心轴部件。使用心轴部件和伪心轴部件作为蚀刻掩模蚀刻衬底，从而形成伪鳍部件和有源鳍部件，伪鳍部件与有源鳍部件沿第一方向分隔开第一间距。第二切割去除伪鳍部件的一部分和有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开第二间距的伪鳍和分隔开第二间距的有源鳍。第二间距沿着基本垂直于第一方向的第二方向。第三切割去除伪鳍，形成鳍开口。用介电材料填充鳍开口，以形成介电鳍。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了指数式增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。诸如，随着鳍式场效应晶体管(FinFET)技术朝着更小的部件尺寸(诸如32纳米、28纳米、20纳米及以下)发展，FinFET图案化工艺受到降低工艺裕度的显著限制。因此，尽管现有的鳍图案化工艺对于它们的预期目的通常已经足够，但它们不是在所有方面都已完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：在衬底上方形成心轴层；执行第一切割以去除所述心轴层的一部分，从而留下设置在所述衬底上方的心轴部件和伪心轴部件，其中，所述伪心轴部件直接邻近所述心轴部件设置；使用所述心轴部件和所述伪心轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底，从而形成伪鳍部件和有源鳍部件，其中，所述伪鳍部件与所述有源鳍部件沿第一方向分隔开第一间距；执行第二切割以去除所述伪鳍部件的一部分和所述有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开第二间距的伪鳍和分隔开所述第二间距的有源鳍，其中，所述第二间距沿着垂直于所述第一方向的第二方向；执行第三切割以去除所述伪鳍，从而形成鳍开口；以及用介电材料填充所述鳍开口，从而形成介电鳍。

本发明的另一实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：在衬底上方形成心轴层，其中，所述心轴层包括分隔开第一间距的心轴的阵列；执行鳍切割工艺以图案化所述心轴层以限定第一鳍有源区和第二鳍有源区，其中，所述鳍切割工艺去除所述心轴层的一部分，使得所述心轴的阵列的第一心轴和第一伪心轴保留在限定所述第一鳍有源区的所述衬底上方，并且所述心轴的阵列的第二心轴和第二伪心轴保留在限定所述第二鳍有源区的所述衬底上方，其中，所述第一伪心轴和所述第二伪心轴分隔开第二间距，所述第二间距大于所述第一间距，其中，所述第一伪心轴和所述第二伪心轴设置在所述第一心轴和所述第二心轴之间；使用图案化的心轴层作为蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，以在所述第一鳍有源区中形成第一有源鳍部件和第一伪鳍部件，并且在所述第二鳍有源区中形成第二有源鳍部件和第二伪鳍部件；执行鳍端部切割工艺以图案化所述第一有源鳍部件、所述第一伪鳍部件、所述第二有源鳍部件和所述第二伪鳍部件，从而将所述第一有源鳍部件划分为分隔开端到端间距的第一鳍，将所述第一伪鳍部件划分为分隔开所述端到端间距的第一伪鳍，将所述第二有源鳍部件划分为分隔开所述端到端间距的第二鳍，以及将所述第二伪鳍部件划分为分隔开所述端到端间距的第二伪鳍；以及用介电鳍替换所述第一伪鳍和所述第二伪鳍。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路器件，包括：鳍式场效应晶体管(FinFET)器件，具有：鳍结构，所述鳍结构包括沿第一方向延伸的介电鳍和有源鳍，其中，所述介电鳍直接邻近所述有源鳍设置，并且其中，所述介电鳍的宽度与所述有源鳍的宽度相同；隔离部件，设置在所述介电鳍和所述有源鳍之间，其中，所述介电鳍的介电材料不同于所述隔离部件的介电材料；以及栅极结构，设置在所述介电鳍和所述有源鳍的一部分上方，其中，所述栅极结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸。

附图说明