[发明专利]集成电路器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路器件的方法，包括：

在衬底上方形成心轴层；

执行第一切割以去除所述心轴层的一部分，从而留下设置在所述衬底上方的心轴部件和伪心轴部件，其中，所述伪心轴部件直接邻近所述心轴部件设置；

使用所述心轴部件和所述伪心轴部件作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底，从而形成伪鳍部件和有源鳍部件，其中，所述伪鳍部件与所述有源鳍部件沿第一方向分隔开第一间距；

执行第二切割以去除所述伪鳍部件的一部分和所述有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开第二间距的伪鳍和分隔开所述第二间距的有源鳍，其中，所述第二间距沿着垂直于所述第一方向的第二方向；

执行第三切割以去除所述伪鳍，从而形成鳍开口；以及

用介电材料填充所述鳍开口，从而形成介电鳍。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述介电材料填充所述鳍开口包括沉积高k介电材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述介电材料填充所述鳍开口包括沉积包括硅、氧和碳的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在执行所述第二切割之前，在所述伪鳍部件和所述有源鳍部件上方形成第一隔离层，其中，所述第一隔离层填充限定在所述伪鳍部件和所述有源鳍部件之间的沟槽；以及

在执行所述第二切割之后，在所述第一隔离层上方形成第二隔离层，其中，所述第二隔离层的材料不同于所述第一隔离层的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述心轴部件是第一心轴部件，所述伪心轴部件是第一伪心轴部件，所述伪鳍部件是第一伪鳍部件，所述有源鳍部件是第一有源鳍部件，所述伪鳍是第一伪鳍，所述有源鳍是第一有源鳍，所述鳍开口是第一鳍开口，并且所述介电鳍是第一介电鳍；

执行所述第一切割还可以包括留下设置在所述衬底上方的第二心轴部件和第二伪心轴部件，其中，所述第二伪心轴部件直接邻近所述第二心轴部件设置；

蚀刻所述衬底还包括使用所述第二心轴部件和所述第二伪心轴部件作为蚀刻掩模，从而形成分隔开所述第一间距的第二伪鳍部件和第二有源鳍部件；

执行所述第二切割还包括去除所述第二伪鳍部件的一部分和所述第二有源鳍部件的一部分，从而形成分隔开所述第二间距的第二伪鳍和分隔开所述第二间距的第二有源鳍；

执行所述第三切割还包括去除所述第二伪鳍，从而形成第二鳍开口；以及

填充所述鳍开口还包括形成第二介电鳍，其中，所述第一介电鳍沿所述第一方向与所述第二介电鳍分隔开第三间距，其中，所述第三间距大于所述第一间距。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

限定在所述伪鳍部件与所述有源鳍部件之间的沟槽是限定在所述第一伪鳍部件与所述第一有源鳍部件之间的第一沟槽；

形成所述第一隔离层还包括在所述第二伪鳍部件和所述第二有源鳍部件上方形成所述第一隔离层，其中，所述第一隔离层填充限定在所述第二伪鳍部件与所述第二有源鳍部件之间的第二沟槽，并且部分地填充限定在所述第二伪鳍部件和所述第一伪鳍部件之间的第三沟槽；以及

在所述第一隔离层上方形成所述第二隔离层还包括填充所述第三沟槽的剩余部分并且部分地填充限定在所述第一有源鳍的端部、所述第一伪鳍的端部、所述第二有源鳍的端部和所述第二伪鳍的端部之间的第四沟槽。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述第二隔离层上方形成第三隔离层，其中，所述第三隔离层部分地填充所述第四沟槽，并且所述第三隔离层的材料不同于所述第一隔离层和所述第二隔离层的材料。