[发明专利]一种紫外-可见双波段光电探测器有效
| 申请号： | 201910635101.9 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110459627B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 庄喆;李成;张雄;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/11 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 许小莉 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种紫外‑可见双波段光电探测器，包括由下至上设置的衬底层、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、n型AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN吸收层、AlGaN倍增层、P型AlGaN层、AlGaN渐变层、n型AlGaN层、n型GaN层、InGaN倍增层、i型InGaN吸收层、P型InGaN层和P型GaN层。在n型AlGaN层(105)和n型GaN层侧面有一外露区域，外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，在P型GaN上表面设置P型欧姆接触层。本发明能够实现紫外以及可见光的探测，通过调节紫外吸收单元的Al组分，可改变紫外探测波长；通过调节可见光吸收单元的In组分，可实现蓝光，绿光，红光等可见光波段的探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 可见 波段 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种紫外-可见双波段光电探测器，其特征在于：包括由下至上设置的衬底(101)、低温AlN成核层(102)、高温AlN缓冲层(103)、n型Alx1Ga1-x1N缓冲层(104)、n型Alx2Ga1-x2N层(105)、i型Alx3Ga1-x3N吸收层(106)、Alx4Ga1-x4N组分渐变倍增层(107)、p型Alx5Ga1-x5N层(108)Alx6Ga1-x6N组分渐变层(109)、n型Alx7Ga1-x7N层(110)、n型GaN层(111)、Iny1Ga1-y1N倍增层(112)、i型Iny2Ga1-y2N吸收层(113)、p型Iny3Ga1-y3N层(114)、p型GaN层(115)、在p型GaN层(115)上设置的p型欧姆电极(116)、在n型AlGaN层(105)上设置的n型欧姆电极(117)、在n型GaN层(111)上设置n型欧姆电极(118)。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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