[发明专利]一种紫外-可见双波段光电探测器

权利要求书

1.一种紫外-可见双波段光电探测器，其特征在于：包括由下至上设置的衬底(101)、低温AlN成核层(102)、高温AlN缓冲层(103)、n型Al_x1Ga_1-x1N缓冲层(104)、n型Al_x2Ga_1-x2N层(105)、i型Al_x3Ga_1-x3N吸收层(106)、Al_x4Ga_1-x4N组分渐变倍增层(107)、p型Al_x5Ga_1-x5N层(108)、Al_x6Ga_1-x6N组分渐变层(109)、n型Al_x7Ga_1-x7N层(110)、n型GaN层(111)、In_y1Ga_1-y1N倍增层(112)、i型In_y2Ga_1-y2N吸收层(113)、p型In_y3Ga_1-y3N层(114)、p型GaN层(115)、在p型GaN层(115)上设置的p型欧姆电极(116)、在n型AlGaN层(105)上设置的n型欧姆电极(117)、在n型GaN层(111)上设置n型欧姆电极(118)；其中x1为n型Al_x1Ga_1-x1N缓冲层(104)中Al组分，x2为n型Al_x2Ga_1-x2N层(105)中Al组分，x3为i型Al_x3Ga_1-x3N吸收层(106)中Al组分，x4为Al_x4Ga_1-x4N组分渐变倍增层(107)中Al组分，x5为p型Al_x5Ga_1-x5N层(108)中Al组分，x6为Al_x6Ga_1-x6N组分渐变层(109)中Al组分，x7为n型Al_x7Ga_1-x7N层(110)中Al组分，y1为In_y1Ga_1-y1N倍增层(112)中In组分，y2为i型In_y2Ga_1-y2N吸收层(113)中In组分，y3为p型In_y3Ga_1-y3N层(114)中In组分。

2.根据权利要求1所述的一种紫外-可见双波段光电探测器，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底(101)，且为双面抛光的C面晶体。

3.根据权利要求1所述的一种紫外-可见双波段光电探测器，其特征在于：所述低温AlN成核层(102)的厚度为10-20nm，高温AlN层(103)的厚度为100-300nm，n型AlGaN缓冲层(104)的厚度为50-500nm，n型AlGaN层(105)的厚度为200-500nm，非掺杂i型Al_x3Ga_1-x3N吸收层(106)的厚度为100～300nm，非掺杂Al_x4Ga_1-x4N倍增层(107)的厚度为100-250nm，p型Al_x5Ga_1-x5N层(108)的厚度为50-500nm，Al_x6Ga_1-x6N组分渐变层(109)的厚度为50-500nm。

4.根据权利要求1所述的一种紫外-可见双波段光电探测器，其特征在于：n型Al_x7Ga_1-x7N层(110)的厚度为50-200nm，n型GaN层(111)的厚度为50-200nm，非掺杂In_y1Ga_1-y1N倍增层(112)的厚度为50～250nm，i型In_y2Ga_1-y2N吸收层(113)厚度为50-100nm，p型InGaN层(114)的厚度为50-100nm，p型GaN层(115)的厚度为50-500nm。